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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€21W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€21W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€21W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8067-H，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8067-H，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
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输入电容：690pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8067-H，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
类型：N沟道
栅极电荷：9.8nC@4.5V
阈值电压：2.3V@100µA
输入电容：820pF@15V
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
类型：N沟道
栅极电荷：9.8nC@4.5V
阈值电压：2.3V@100µA
输入电容：820pF@15V
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€21W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€21W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€21W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
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输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€21W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€22W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€21W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
