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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2009TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50MA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2009TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50MA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU003N03T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU003N03T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.8pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2009TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50MA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.8pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
