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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW200N03TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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类型：N沟道
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输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：29nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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功率：2W
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栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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工作温度：150℃
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
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功率：2W
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规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
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功率：2W
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类型：N沟道
连续漏极电流：12A
输入电容：1500pF@15V
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