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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS100N03FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS100N03FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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