销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：134000，"21+"：31000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14H6327XTSA1

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

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集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：33000，"22+"：27000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14，115

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA13T116

集射极击穿电压(Vceo)：30V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2142KT146

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA13T116

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2142KT146

集射极击穿电压(Vceo)：30V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2142KT146

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA13，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

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集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

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晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

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晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA13，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2142KT146

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工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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生产批次：{"20+"：9000，"22+"：15000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA64，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA13，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMBTA13，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

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特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2142KT146

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

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工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2142KT146

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1