采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0391DPA-00#J5A
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
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输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0391DPA-00#J5A
工作温度：150℃
功率：50W
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
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输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0391DPA-00#J5A
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：5600pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：45nC@4.5V
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输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
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输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
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输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0391DPA-00#J5A
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM090N03ECP ROG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：680pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：7.7nC@4.5V
连续漏极电流：50A
导通电阻：9mΩ@16A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
