品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR020P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5H020SPTL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@2A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3423A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@4.5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C020TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J353F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:159pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ020P03TCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C020TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":545000,"16+":30000,"17+":100000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1337-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR020P05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@2A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J117TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTL020P02FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR020P05HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@2A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: