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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT6N3LLH6
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT6N3LLH6
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT6N3LLH6
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT6N3LLH6
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT6N3LLH6
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT6N3LLH6
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
