品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E150GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.9W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€16W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: