采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：21.4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：21.4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：21.4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS54095TZ-E
工作温度：150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：16.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N65G
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：21.4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：21.4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
