采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0651DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：45W
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0651DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：45W
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0651DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：45W
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0651DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：45W
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
功率：2W€59W
导通电阻：60mΩ@25A，10V
连续漏极电流：25A
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
