品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07301
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@12.4A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4615R-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N52DK3
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@50V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@3A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07301
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@12.4A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6NF20V
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:11.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6NF20V
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:11.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS6NF20V
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:11.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD060N25TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300A
工作温度:150℃
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: