采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
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输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：34A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：34A
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
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功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
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输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：34A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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漏源电压：60V
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：120A
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栅极电荷：28nC@10V
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连续漏极电流：34A
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输入电容：1680pF@25V
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栅极电荷：28nC@10V
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连续漏极电流：34A
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输入电容：1680pF@25V
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连续漏极电流：34A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
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功率：104W
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类型：N沟道
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连续漏极电流：120A
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漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
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功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1680pF@25V
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类型：N沟道
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功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
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功率：104W
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栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：104W
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栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
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导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
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输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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功率：104W
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包装方式：卷带（TR）
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导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
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