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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R3-40YS，115
输入电容：1.215nF@20V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
导通电阻：8.6mΩ@10V，15A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
功率：74W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
