品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG
工作温度:-55℃~200℃
功率:290W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1230pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1995}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N60CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@13.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030MNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW35N65G2V
工作温度:-55℃~200℃
功率:240W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:73nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,20V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH76N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:388W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:94nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@30A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:388W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:94nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@30A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNXC7G
工作温度:150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK13A65U(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:388W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:94nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@30A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW35N65G2V
工作温度:-55℃~200℃
功率:240W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:73nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,20V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4525pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA102N15T
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@25V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG
工作温度:-55℃~200℃
功率:290W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1230pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNXC7
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":260,"22+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW20N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@13.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:388W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:94nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@30A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK250N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:1250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16000pF@25V
连续漏极电流:250A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG
工作温度:-55℃~200℃
功率:290W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1230pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW35N65G2VAG
工作温度:-55℃~200℃
功率:240W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:73nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,20V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: