采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
功率：35W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：2.5A
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：1701}
规格型号(MPN)：NTP5864NG
功率：107W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
