采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
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功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：STF6N65K3
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功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
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包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：STW28N65M2
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功率：170W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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漏源电压：650V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
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功率：30W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：STW28N65M2
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功率：170W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N65M2
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功率：170W
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类型：N沟道
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STF28N65M2
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功率：30W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：STF28N65M2
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功率：30W
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类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14E65W，S1X
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14E65W，S1X
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
