品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN17N120L
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:8300pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@8.5A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
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包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
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连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
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连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:400W
阈值电压:2.69V@12mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN17N120L
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:8300pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@8.5A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK17N120L
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:155nC@15V
包装方式:管件
输入电容:8300pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@8.5A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
功率:400W
导通电阻:36mΩ@50A,15V
类型:N沟道
栅极电荷:155nC@15V
漏源电压:1200V
阈值电压:2.69V@12mA
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:3901pF@800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: