品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C120400K3S
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:100W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
栅极电荷:27 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:740 pF @ 100 V
连续漏极电流:7.6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:515毫欧 @ 5A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO120E0080
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:95nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1825pF@800V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:97W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 2.33mA
栅极电荷:38 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:632 pF @ 1000 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:208 毫欧 @ 8.5A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@18V
包装方式:管件
输入电容:707pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0021120K
工作温度:-40℃~175℃
功率:469W
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4818pF@1000V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瞻芯
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IV1Q12050T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:344W
阈值电压:3.2V@6mA
栅极电荷:120nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2750pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KLGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:60nC@18V
包装方式:管件
输入电容:785pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C120080K3S
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:254.2W(Tc)
阈值电压:6V @ 10mA
栅极电荷:51 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:1500 pF @ 100 V
连续漏极电流:33A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 20A,12V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:750W
阈值电压:5.2V@47mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@18V
包装方式:管件
输入电容:9170nF@25V
连续漏极电流:225A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@108A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:5.2V@23.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4580nF@25V
连续漏极电流:127A
类型:N沟道
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEGC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:4V@4.4mA
栅极电荷:106nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@800V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R140M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@18V
包装方式:管件
输入电容:454pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@6A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG
工作温度:-55℃~200℃
功率:290W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1230pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":240,"21+":5040,"22+":15600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:750W
阈值电压:5.2V@47mA
栅极电荷:220nC@18V
包装方式:管件
输入电容:9170nF@25V
连续漏极电流:225A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@108A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEGC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:4V@4.4mA
栅极电荷:106nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@800V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":40}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@800V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@25A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: