品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75842P3
连续漏极电流:43A
功率:230W
栅极电荷:175nC@20V
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP2572
栅极电荷:34nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:54mΩ@9A,10V
功率:135W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP011N15MC
连续漏极电流:74.3A
栅极电荷:37nC
漏源电压:150V
导通电阻:10.9mΩ
包装方式:管件
阈值电压:4.5V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136.4W
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
功率:429W(Tc)
漏源电压:150V
类型:N 通道
包装方式:管件
连续漏极电流:158A(Tc)
输入电容:9445 pF @ 75 V
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
ECCN:EAR99
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":432}
规格型号(MPN):FQA90N15-F109
栅极电荷:285nC@10V
导通电阻:18mΩ@45A,10V
类型:N沟道
输入电容:8700pF@25V
漏源电压:150V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:375W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP2552
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
包装方式:管件
导通电阻:36mΩ@16A,10V
输入电容:2800pF@25V
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5A€37A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF190N15A
栅极电荷:39nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:27.4A
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
功率:33W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75842P3
连续漏极电流:43A
功率:230W
栅极电荷:175nC@20V
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP075N15A-F102
栅极电荷:100nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:7350pF@75V
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
功率:333W
连续漏极电流:130A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
栅极电荷:53nC@10V
漏源电压:150V
功率:2.4W€166W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
阈值电压:4.5V@342μA
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP35N15G
栅极电荷:100nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:50mΩ@18.5A,10V
输入电容:3200pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W€178W
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":246,"MI+":26}
包装规格(MPQ):450psc
规格型号(MPN):HUF75852G3
栅极电荷:480nC@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
漏源电压:150V
导通电阻:16mΩ@75A,10V
输入电容:7690pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:500W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP075N15A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75852G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:480nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7690pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":435,"22+":900,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA90N15-F109
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8700pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@45A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2532
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:8A€79A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: