采购热线 400-661-9010
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.6V@2mA
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.6V@2mA
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.6V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9516-55A，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：3085pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.6V@2mA
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9516-55A，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：3085pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC040SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：323W
阈值电压：2.6V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：291W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9516-55A，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：管件
输入电容：3085pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9516-55A，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：管件
输入电容：3085pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
