采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP220N25NFDAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7076pF@125V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@61A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1995，"19+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFZ48Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：1600，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP220N25NFDAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7076pF@125V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@61A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN64N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700W
阈值电压：5.5V@8mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R045P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@1.08mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3891pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@22.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN64N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700W
阈值电压：5.5V@8mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@32A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFZ48Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R045P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@1.08mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3891pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@22.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP220N25NFDAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7076pF@125V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@61A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R045P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@1.08mA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3891pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@22.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP220N25NFDAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7076pF@125V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@61A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R045P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@1.08mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3891pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@22.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
