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    包装方式: 管件
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 20A
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:200+
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    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订241个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订241个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":721}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3707-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€25W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60FP

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM50FD 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM50FD 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM50FD

    工作温度:150℃

    功率:214W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1380pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZC17 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZC17 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENZC17

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6520KNX3C16 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6520KNX3C16 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6520KNX3C16

    工作温度:150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@630µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:205mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZC17 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZC17 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENZC17

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6520ENXC7G 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6520ENXC7G 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6520ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@630µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:205mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60FP

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订200个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订200个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2106

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6520KNX3C16 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6520KNX3C16 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6520KNX3C16

    工作温度:150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@630µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:205mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM50FD 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM50FD 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM50FD

    工作温度:150℃

    功率:214W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1380pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF26NM60N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW26NM60N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW26NM60N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":721}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3707-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€25W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW26NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW26NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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