采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：97}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC40SM120JCU3
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R040S7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@12V
包装方式：管件
输入电容：3127pF@300V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@13A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP023N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：245W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13765pF@37.5V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.35mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R040S7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@12V
包装方式：管件
输入电容：3127pF@300V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@13A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R040S7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@12V
包装方式：管件
输入电容：3127pF@300V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@13A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65N045M9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4610pF@400V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@28A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
