品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH210N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH210N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH90P10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT90P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:462W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH210N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT90P10P
导通电阻:25mΩ@45A,10V
输入电容:5800pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:462W
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH90P10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT90P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:462W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH210N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
包装方式:管件
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT90P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:462W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH90P10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT90P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:462W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH210N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
包装方式:管件
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH210N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
包装方式:管件
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH210N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:462W
包装方式:管件
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: