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    包装方式: 管件
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 4A
    当前匹配商品:100+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:525
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CH C5G 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CH C5G 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY4N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY4N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY4N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004JNXC7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:7V@450µA

    栅极电荷:10.5nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:260pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STF5N95K3 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF5N95K3 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP04N80C3XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP04N80C3XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP04N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:3.9V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STW7N105K5
    ST Mosfet场效应管 STW7N105K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW7N105K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:1050V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF4N90C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF4N90C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5454}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF4N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:47W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:960pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:462
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP4N70X2M
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP4N70X2M

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP4N70X2M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:11.8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:386pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@2A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP5N80K5
    ST Mosfet场效应管 STP5N80K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:177pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA4N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA4N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA4N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP5N80K5
    ST Mosfet场效应管 STP5N80K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:177pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STF4N90K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF4N90K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF4N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:173pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80ZYD
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80ZYD

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":497}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF1300N80ZYD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:337
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80Z
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80Z

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF1300N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@400µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R1K4P7AKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R1K4P7AKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":10,"17+":16500,"18+":79999,"9999":1430,"MI+":1500}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU80R1K4P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:3.5V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.05nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:877
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80R1K4P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80R1K4P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP80R1K4P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:3.5V@70µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA4N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA4N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA4N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT4N60
    AOS Mosfet场效应管 AOT4N60

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT4N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R1K4P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R1K4P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA80R1K4P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@700µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOT4N60
    AOS Mosfet场效应管 AOT4N60

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT4N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R2K0P7AKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R2K0P7AKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU95R2K0P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@80µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80Z
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80Z

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF1300N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STF7N105K5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF7N105K5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF7N105K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:1050V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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