品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28NM50N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A65DA(STA4,QM)
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.51Ω@1.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28NM50N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF38N65M5
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:3.7V@600µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF38N65M5
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF38N65M5
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28NM50N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: