品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT47N60BC3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
类型:N沟道
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:7015pF@25V
导通电阻:70mΩ@30A,10V
连续漏极电流:47A
阈值电压:3.9V@2.7mA
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):APT5010LFLLG
功率:520W
漏源电压:500V
导通电阻:100mΩ@23A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:4360pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:5V@2.5mA
连续漏极电流:46A
栅极电荷:95nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG
栅极电荷:100nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:1200V
输入电容:2540pF@25V
导通电阻:1.25Ω@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
输入电容:838pF@1000V
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
包装方式:管件
栅极电荷:64nC@20V
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA070B
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
阈值电压:2.7V@2mA
功率:283W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@30A,20V
漏源电压:700V
包装方式:管件
输入电容:2010pF@700V
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA070B4
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
阈值电压:2.7V@2mA
功率:283W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@30A,20V
漏源电压:700V
包装方式:管件
输入电容:2010pF@700V
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT13F120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
导通电阻:1.4Ω@7A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:4765pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1psc
规格型号(MPN):ARF1501
包装方式:管件
功率:750W
类型:1个N沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120JDQ3
工作温度:-55℃ ~ 150℃
类型:沟槽型场截止
输入电容:4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
ECCN:EAR99
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC015SMA070B
功率:400W
导通电阻:19mΩ@40A,20V
输入电容:4500pF@700V
类型:N沟道
栅极电荷:215nC@20V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:700V
包装方式:管件
连续漏极电流:131A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):APT5010LLLG
功率:520W
漏源电压:500V
导通电阻:100mΩ@23A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:4360pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:5V@2.5mA
连续漏极电流:46A
栅极电荷:95nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT13F120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
导通电阻:1.4Ω@7A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:4765pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
输入电容:1969pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:1000V
连续漏极电流:12A
导通电阻:950mΩ@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:5V@1mA
功率:298W
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120JDQ3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT58M80J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:960W(Tc)
阈值电压:5V @ 5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:17550 pF @ 25 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 43A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ARF460AG
功率:500V
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:500V
类型:N 通道
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VRF151MP
功率:150W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GN120B2G
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:615ns
关断损耗:9.5mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:540nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:11mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT200GN60JDQ4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:14.1nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GP120J
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:7.04nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:PT
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6025BVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5160pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC015SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:2.4V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@20V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@700V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@40A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT8030JVFR
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:510nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7900pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT35GP120JDQ2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:3.24nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:PT
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT11N80BC3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1585pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: