采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ22N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2742}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2742}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ22N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2742}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：2742}
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
输入电容：2500pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：管件
栅极电荷：62nC@10V
连续漏极电流：15A
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
输入电容：2587pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
功率：329W
包装方式：管件
栅极电荷：62nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ22N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ22N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
