采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR214PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR214PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1812
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU214PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1812
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU214PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR214PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR214PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
