采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：76，"18+"：38961，"19+"：43500，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA70R750P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21.2W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@400V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF7N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：260，"18+"：11516，"23+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPSA70R750P7SAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@400V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NM60N
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：76，"18+"：38961，"19+"：43500，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA70R750P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21.2W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@400V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：950，"22+"：9000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF7N60NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN70R750P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20.8W
阈值电压：3.5V@70µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：76，"18+"：38961，"19+"：43500，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA70R750P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21.2W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@400V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN70R750P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20.8W
阈值电压：3.5V@70µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF7N60NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9NM60N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：452pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：950，"22+"：9000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF7N60NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
