采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M025120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：400W
阈值电压：2.69V@12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@50A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R30MT12K
功率：400W
导通电阻：36mΩ@50A，15V
类型：N沟道
栅极电荷：155nC@15V
漏源电压：1200V
阈值电压：2.69V@12mA
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
输入电容：3901pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M025120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
