采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
功率：42W
包装方式：管件
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1315pF@25V
导通电阻：650mΩ@6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP12N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：165W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
