采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW36NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP57N65M5
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@100V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@21A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076ENZ1C9
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2225-E
工作温度：150℃
功率：50W
包装方式：管件
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@1A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STA302A
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：4A
功率：3W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW3N150
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP26NM60N
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW55NM60ND
工作温度：150℃
功率：350W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5800pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK62N60W，S1VF
工作温度：150℃
功率：400W
阈值电压：3.7V@3.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@300V
连续漏极电流：61.8A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@30.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU13N65M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13N65M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3N62K3
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDFP03N150CG
工作温度：150℃
功率：2W€32W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60ZFP
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW3N150
工作温度：150℃
功率：63W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：939pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@1.3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW4N150
工作温度：150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@2A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60M2-4
工作温度：150℃
功率：350W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
