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    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:1200+
    商品信息
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP350PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU3910PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2805PBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2805PBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF2805PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5110pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@104A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3410PBF 起订770个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3410PBF 起订770个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":10018,"22+":9614,"23+":52852,"24+":1239}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU3410PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@18A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:770
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840APBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840APBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1018pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@840mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3805PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3805PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3805PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:290nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7960pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N600CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:743pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N600CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:743pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF610SPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF610SPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF610SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€36W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI3205PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI3205PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI3205PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@34A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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