品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP350PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@9.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3910PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2805PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5110pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@104A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":10018,"22+":9614,"23+":52852,"24+":1239}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3410PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€110W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1018pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@840mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3805PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7960pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N600CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:743pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N600CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:743pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1921pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF610SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI3205PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@34A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: