采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：30，"22+"：60}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1200}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENXC7G
工作温度：150℃
功率：68W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENXC7G
工作温度：150℃
功率：68W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：194}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK56A12N1，S4X
功率：45W
输入电容：4200pF@60V
工作温度：150℃
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
漏源电压：120V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
导通电阻：7.5mΩ@28A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
功率：40W
类型：N沟道
输入电容：1130pF@300V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：750mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
输入电容：8800pF@50V
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
功率：255W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：92}
规格型号(MPN)：RJK1002DPN-A0#T2
导通电阻：7.6mΩ@35A，10V
工作温度：150℃
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
输入电容：6450pF@10V
功率：150W
包装方式：管件
栅极电荷：94nC@10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
