首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    包装方式
    ECCN
    栅极电荷
    漏源电压
    功率
    行业应用
    连续漏极电流
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 36nC@10V
    漏源电压: 650V
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4.5V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1503pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:441
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"23+":3000,"9999":40,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"23+":3000,"9999":40,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP24N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP24N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP24N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2060pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4.5V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1503pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4.5V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1503pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"23+":3000,"9999":40,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":772}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP24N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP24N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP24N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2060pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H035WS
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H035WS

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H035WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:46.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H035WS
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H035WS

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H035WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:46.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R125PFD7SXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    阈值电压:4.5V@390µA

    漏源电压:650V

    连续漏极电流:25A

    包装方式:管件

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    输入电容:1503pF@400V

    工作温度:-40℃~150℃

    ECCN:EAR99

    功率:32W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"9999":772}

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1245pF@25V

    漏源电压:650V

    包装方式:管件

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧