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    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
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    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:30+
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    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):90psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):90psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT17N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:523W

    阈值电压:2.7V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:400nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:10187pF@1000V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@75A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:139pF@1000V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT17N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:523W

    阈值电压:2.7V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:400nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:10187pF@1000V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@75A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:139pF@1000V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:809W

    阈值电压:2.7V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:400nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:10187pF@1000V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@75A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:25
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