品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA08N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:3.9V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI740GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@3.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5791}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ73ALHXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":17301}
销售单位:个
规格型号(MPN):KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI740GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@3.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:6.1A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1130pF@300V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5791}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ73ALHXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1130pF@300V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1130pF@300V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1134pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1134pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":17301}
销售单位:个
规格型号(MPN):KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: