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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB3036PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：380W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：140nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：11.21nF@50V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
反向传输电容：500pF@50V
导通电阻：1.9mΩ@10V，165A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：G12P10TE
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：12A
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
导通电阻：170mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：G12P10TE
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：12A
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
导通电阻：170mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
