采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3411}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：6539，"9999"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31H3046XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：6539，"9999"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31H3046XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：6539，"9999"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31H3046XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3411}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M70BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M85BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4950pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38SVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3411}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：BUZ31HXKSA1
输入电容：1120pF@25V
功率：95W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
连续漏极电流：14.5A
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M70BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M70BVRG
导通电阻：70mΩ@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：5870pF@25V
包装方式：管件
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
连续漏极电流：48A
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
