品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF25S65
输入电容:1278pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:26.4nC@10V
类型:N沟道
功率:50W
漏源电压:650V
连续漏极电流:25A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:190mΩ@12.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF18N65M2
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:25W
漏源电压:650V
导通电阻:330mΩ@6A,10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@100V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:3405pF@100V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:112mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65A-BP
连续漏极电流:20A
导通电阻:180mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:1807pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOTF11S65L
输入电容:646pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
漏源电压:650V
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
功率:31W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1245pF@25V
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT15S65L
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:841pF@100V
栅极电荷:17.2nC@10V
功率:208W
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15A
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"9999":772}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1245pF@25V
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF18N65M2
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:25W
漏源电压:650V
导通电阻:330mΩ@6A,10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@100V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHF12N65E-GE3
栅极电荷:70nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1224pF@100V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:33W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU28N65M2
连续漏极电流:20A
导通电阻:180mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1440pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:25W
漏源电压:650V
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
导通电阻:500mΩ@4A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:535pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1224pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: