品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT50P10
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA19N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
输入电容:4200pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:24A
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
连续漏极电流:12.6A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:88nC@10V
功率:300W
漏源电压:800V
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:3500pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
输入电容:4200pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:24A
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: