品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":22125}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4906NA-35G
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1932pF@15V
连续漏极电流:10.3A€54A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":27000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS105N03LGAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":15,"19+":250,"20+":500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":6150}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4909N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€29.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1314pF@15V
连续漏极电流:8.8A€41A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT240L
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W€176W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:20A€105A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT240L
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W€176W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:20A€105A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":12575,"16+":9675}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4904N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3052pF@15V
连续漏极电流:13A€79A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11430pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":7400,"12+":300,"15+":15600}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4909N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€29.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1314pF@15V
连续漏极电流:8.8A€41A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT240L
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W€176W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:20A€105A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4910N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€27.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1203pF@15V
连续漏极电流:8.2A€37A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4909N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€29.4W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1314pF@15V
连续漏极电流:8.8A€41A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":14425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4910N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€27.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1203pF@15V
连续漏极电流:8.2A€37A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":7000,"15+":9000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP065N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":12575,"16+":9675}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4904N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3052pF@15V
连续漏极电流:13A€79A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":7400,"12+":300,"15+":15600}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4909N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€29.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1314pF@15V
连续漏极电流:8.8A€41A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: