采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP310N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF15S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：717pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOW15S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：717pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP310N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOW15S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：717pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP310N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP310N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.9W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMIX1T550N055T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：830W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：595nC@10V
包装方式：管件
输入电容：40000pF@25V
连续漏极电流：550A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@100A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP023N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：245W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13765pF@37.5V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.35mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT412
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€150W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@50V
连续漏极电流：8.2A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT412
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€150W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@50V
连续漏极电流：8.2A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9ND50CI
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1116pF@50V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF15S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：717pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP310N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：315W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT412
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€150W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@50V
连续漏极电流：8.2A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT412
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€150W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@50V
连续漏极电流：8.2A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.9W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.9W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
