品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2100,"21+":3826,"22+":3600,"23+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-60PSQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:326W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7629pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2100,"21+":3826,"22+":3600,"23+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-60PSQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:326W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7629pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: