品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:20+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP33N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:127W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@16.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:15+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANG
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:15+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANG
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:15+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANG
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF33N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF33N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: