采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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