品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N60M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N60M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N60M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM50N
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@50V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5035DPP-A0#T2
工作温度:150℃
功率:29W
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5035DPP-A0#T2
工作温度:150℃
功率:29W
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5035DPP-A0#T2
工作温度:150℃
功率:29W
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):RJK5035DPP-A0#T2
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
功率:29W
包装清单:商品主体 * 1
库存: