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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGYA50H120DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：284ns
反向恢复时间：340ns
关断损耗：2.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，50A
导通损耗：2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGYA50H120DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：284ns
反向恢复时间：340ns
关断损耗：2.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，50A
导通损耗：2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGYA50H120DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：284ns
反向恢复时间：340ns
关断损耗：2.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，50A
导通损耗：2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGYA50H120DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：284ns
反向恢复时间：340ns
关断损耗：2.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，50A
导通损耗：2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT40GR120B2D30
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：163ns
关断损耗：906µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.2V@15V，40A
导通损耗：1.38mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT40GR120B
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：163ns
关断损耗：906µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.2V@15V，40A
导通损耗：1.38mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGYA50H120DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：284ns
反向恢复时间：340ns
关断损耗：2.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，50A
导通损耗：2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGYA50H120DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：284ns
反向恢复时间：340ns
关断损耗：2.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，50A
导通损耗：2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：105A
关断延迟时间：172ns
反向恢复时间：337ns
关断损耗：1.7mJ
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGYA50H120DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：284ns
反向恢复时间：340ns
关断损耗：2.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：210nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，50A
导通损耗：2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1361，"21+"：80，"9999"：313}
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1361，"21+"：80，"9999"：313}
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1361，"21+"：80，"9999"：313}
规格型号(MPN)：FGL35N120FTDTU
关断损耗：1.7mJ
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，35A
关断延迟时间：172ns
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：34ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC
集电极脉冲电流(Icm)：105A
反向恢复时间：337ns
导通损耗：2.5mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
